maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BD810G
Référence fabricant | BD810G |
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Numéro de pièce future | FT-BD810G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BD810G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 10A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 300mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 4A, 2V |
Puissance - Max | 90W |
Fréquence - Transition | 1.5MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD810G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BD810G-FT |
2SB1123T-TD-E
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XC4VLX25-11FFG676I
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M2GL060T-FGG676
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