maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BD651-S
Référence fabricant | BD651-S |
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Numéro de pièce future | FT-BD651-S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BD651-S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 50mA, 5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD651-S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BD651-S-FT |
BC847CW/MIX
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B3X
Nexperia USA Inc.
BC856W/ZLX
NXP USA Inc.
BC857B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC857BW/MIF
Nexperia USA Inc.
BC857C/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC857CW/DG/B2,135
Nexperia USA Inc.
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel