maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BCW 66G E6327
Référence fabricant | BCW 66G E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BCW 66G E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCW 66G E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 20nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Puissance - Max | 330mW |
Fréquence - Transition | 170MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCW 66G E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCW 66G E6327-FT |
BC 850B B5003
Infineon Technologies
BC 850BF E6327
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BC 850C B5003
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BC 856B E6327
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BC 857B B5003
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BC80716MTF
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BC80740B5003XT
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XA6SLX25-3FGG484I
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A3PN125-Z1VQG100I
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EP4CGX75DF27I7
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5SGXMABK3H40C4N
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XC7A15T-2CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115N2F40I2LG
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EP4CE55F29C8
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