maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC 850BF E6327
Référence fabricant | BC 850BF E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BC 850BF E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC 850BF E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 250mW |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC 850BF E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC 850BF E6327-FT |
2PB709AQ,115
NXP USA Inc.
2PB709AQW,115
NXP USA Inc.
2PB709AR,115
NXP USA Inc.
2PB709AS,115
NXP USA Inc.
2PB710AQ,115
NXP USA Inc.
2PB710AR,115
NXP USA Inc.
2PB710AS,115
NXP USA Inc.
2PD601AQ,115
NXP USA Inc.
2PD601AR,115
NXP USA Inc.
2PD601AS,115
NXP USA Inc.
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation