maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2PB709AQW,115
Référence fabricant | 2PB709AQW,115 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2PB709AQW,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2PB709AQW,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2mA, 10V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 60MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SMT3; MPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2PB709AQW,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2PB709AQW,115-FT |
MMBT5962
ON Semiconductor
BC817-16-TP
Micro Commercial Co
BC817-40-TP
Micro Commercial Co
BCX42E6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR14
ON Semiconductor
KST43MTF
ON Semiconductor
MMBT100
ON Semiconductor
SMBT2907AE6327HTSA1
Infineon Technologies
MMBT2907A-D87Z
ON Semiconductor
2SA1163-BL,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel