maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / SMBT2907AE6327HTSA1
Référence fabricant | SMBT2907AE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SMBT2907AE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SMBT2907AE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Puissance - Max | 330mW |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMBT2907AE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMBT2907AE6327HTSA1-FT |
APT13005DT-G1
Diodes Incorporated
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