maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / BC856AS-7
Référence fabricant | BC856AS-7 |
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Numéro de pièce future | FT-BC856AS-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC856AS-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856AS-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC856AS-7-FT |
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Diodes Incorporated
LCMXO640C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
10CX220YU484I5G
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5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG676
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LFE2-12E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45E1SG
Intel