maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / MMDT3906V-7
Référence fabricant | MMDT3906V-7 |
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Numéro de pièce future | FT-MMDT3906V-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMDT3906V-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT3906V-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMDT3906V-7-FT |
BC846SE6433BTMA1
Infineon Technologies
BC846SH6433XTMA1
Infineon Technologies
BC846SH6727XTSA1
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BC847PNB6327XT
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BC847PNE6327BTSA1
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BC847PNE6433BTMA1
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BC847PNH6327XTSA1
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LAE5UM-25F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
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EP2C5F256C7
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XC2VP30-6FF1152C
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AX1000-2FGG676I
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A42MX16-FPQ160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8LFN1156I
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LFE2M100SE-5F900C
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EP20K100EFC324-1N
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