maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY5802WE6127XT
Référence fabricant | BBY5802WE6127XT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BBY5802WE6127XT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY5802WE6127XT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Capacité @ Vr, F | 5.5pF @ 6V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3.5 |
Ratio de capacité condition | C1/C4 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 10V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY5802WE6127XT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY5802WE6127XT-FT |
BBY6502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY5302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY5502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY6602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BB 555-02V E7902
Infineon Technologies
BB 555-02V E7912
Infineon Technologies
BB 565-02V E7902
Infineon Technologies
BB 659C-02V E7902
Infineon Technologies
BB 659C-02V E7908
Infineon Technologies
BB 659C-02V E7912
Infineon Technologies
XC6SLX100T-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG484C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K1F40C1
Intel
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXMB9R2H43C3N
Intel
EP4SGX530KF43I3
Intel
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC4VLX80-12FFG1148C
Xilinx Inc.