maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY6602VH6327XTSA1
Référence fabricant | BBY6602VH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY6602VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY6602VH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacité @ Vr, F | 13.5pF @ 4.5V, 1MHz |
Ratio de capacité | 5.41 |
Ratio de capacité condition | C1/C4.5 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 12V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY6602VH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY6602VH6327XTSA1-FT |
MMVL3102T1G
ON Semiconductor
MMVL409T1G
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MMVL809T1G
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SVC203C-AA-TB-E
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SVC270-TL-E
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SVC272-TL-E
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SVC276-TL-E
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SVC704-TL-E
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SVC710-TL-E
ON Semiconductor
BB173X
NXP USA Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A1440A-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F45C3N
Intel
EP3SL110F1152I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG665CES
Xilinx Inc.
EP20K100EBI356-2X
Intel