maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY5602WH6327XTSA1
Référence fabricant | BBY5602WH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY5602WH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY5602WH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 12.1pF @ 4V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3.3 |
Ratio de capacité condition | C1/C3 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 10V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY5602WH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY5602WH6327XTSA1-FT |
BBY5602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY5802VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY6502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY5302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY5502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY6602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BB 555-02V E7902
Infineon Technologies
BB 555-02V E7912
Infineon Technologies
BB 565-02V E7902
Infineon Technologies
BB 659C-02V E7902
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG320C
Xilinx Inc.
EP3C25F256A7N
Intel
10AX027E3F29I2LG
Intel
5SGXEBBR2H43I2
Intel
5SGXMA4K3F35C2LN
Intel
AX1000-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29C9LN
Intel