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Référence fabricant | BAW76-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BAW76-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAW76-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 300mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW76-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAW76-TAP-FT |
BYM12-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41T-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel