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Référence fabricant | GL41T-E3/1 |
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Numéro de pièce future | FT-GL41T-E3/1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
GL41T-E3/1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1300V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL41T-E3/1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GL41T-E3/1-FT |
SE15FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE15FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FDHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FGHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel