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Référence fabricant | BAV21W-G RHG |
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Numéro de pièce future | FT-BAV21W-G RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV21W-G RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21W-G RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV21W-G RHG-FT |
SS115HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation