maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV170Q-7-F
Référence fabricant | BAV170Q-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-BAV170Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAV170Q-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 85V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 125mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5nA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV170Q-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV170Q-7-F-FT |
MA4X19400L
Panasonic Electronic Components
MA4X72600L
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DB4X314K0R
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BAS7007E6433HTMA1
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BAS 40-07 B6327
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BAS28E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS70-07,215
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BAT74,235
Nexperia USA Inc.
BAV23,235
Nexperia USA Inc.
BAW101E6327HTSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel