maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DB4X314K0R
Référence fabricant | DB4X314K0R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DB4X314K0R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB4X314K0R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 30mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300nA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-61AB |
Package d'appareils du fournisseur | Mini4-G4-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB4X314K0R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB4X314K0R-FT |
FEP16GT
ON Semiconductor
FEP16GTA
ON Semiconductor
FEP16GTD
ON Semiconductor
FEP16HT
ON Semiconductor
FEP16HTA
ON Semiconductor
FEP16HTD
ON Semiconductor
FEP16JT
ON Semiconductor
FEP16JTA
ON Semiconductor
FEP16JTD
ON Semiconductor
FFP04U40DNTU
ON Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel