maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS35
Référence fabricant | BAS35 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BAS35 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS35 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 90V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS35 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS35-FT |
DA227TL
Rohm Semiconductor
RB480KTL
Rohm Semiconductor
BAS12507WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7007WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS12507WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS28WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAS28WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS4007WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAS7007WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAT6307WE6327HTSA1
Infineon Technologies
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel