maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS12507WH6327XTSA1
Référence fabricant | BAS12507WH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS12507WH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS12507WH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 25V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 35mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150nA @ 25V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-82A, SOT-343 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT343-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS12507WH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS12507WH6327XTSA1-FT |
V40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT60M45C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel