maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS28 TR
Référence fabricant | BAS28 TR |
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Numéro de pièce future | FT-BAS28 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS28 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS28 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS28 TR-FT |
BAT54TW-7
Diodes Incorporated
BAV199DW-7
Diodes Incorporated
BAV70DW-7
Diodes Incorporated
BAV756DW-7
Diodes Incorporated
BAV99DW-7
Diodes Incorporated
BAW567DW-7
Diodes Incorporated
BAW56DW-7
Diodes Incorporated
MMBD4148TW-7
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MMBD4448DW-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HADW-7
Diodes Incorporated
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel