maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR8802LRHE6327XTSA1
Référence fabricant | BAR8802LRHE6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR8802LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR8802LRHE6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 600 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR8802LRHE6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR8802LRHE6327XTSA1-FT |
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-5FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2
Intel
XC7A200T-2FB676I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
EP4SGX110FF35C4N
Intel