maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAP51-02,315
Référence fabricant | BAP51-02,315 |
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Numéro de pièce future | FT-BAP51-02,315 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAP51-02,315 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 60V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 715mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP51-02,315 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAP51-02,315-FT |
UPP1004E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP9401/TR13
Microsemi Corporation
UPP9401E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1001/TR13
Microsemi Corporation
UPP9401/TR7
Microsemi Corporation
UPP9401E3/TR7
Microsemi Corporation
BAT17,215
Nexperia USA Inc.
PMBD353,215
Nexperia USA Inc.
PMBD354,215
Nexperia USA Inc.
BAT17,235
Nexperia USA Inc.
M2GL025TS-FCSG325
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4S40G2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
A40MX02-1PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C3
Intel