maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT17,215
Référence fabricant | BAT17,215 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT17,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT17,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | 30mA |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 1kHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 100°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT17,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT17,215-FT |
HSMS-286B-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-286B-TR1
Broadcom Limited
HSMS-286B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-286B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-286C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-286C-TR1
Broadcom Limited
HSMS-286C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-286C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-286E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-286E-TR1G
Broadcom Limited
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel