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Référence fabricant | BAL99-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAL99-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAL99-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Capacité @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAL99-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAL99-G3-08-FT |
VS-C4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35APF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45APS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90APS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel