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Référence fabricant | BA157G R1G |
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Numéro de pièce future | FT-BA157G R1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA157G R1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA157G R1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA157G R1G-FT |
1N5817 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5819HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA157G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA157GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel