maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5819HA0G
Référence fabricant | 1N5819HA0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5819HA0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
1N5819HA0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819HA0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5819HA0G-FT |
SR805 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel