Référence fabricant | B483C-2 |
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Numéro de pièce future | FT-B483C-2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
B483C-2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 50A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | B48 Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B483C-2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | B483C-2-FT |
GBJ1001
Diodes Incorporated
GBJ1002
Diodes Incorporated
GBJ1004
Diodes Incorporated
GBJ1006
Diodes Incorporated
GBJ1010
Diodes Incorporated
GBJ15005
Diodes Incorporated
GBJ1501
Diodes Incorporated
GBJ1502
Diodes Incorporated
GBJ1504
Diodes Incorporated
GBJ1506
Diodes Incorporated
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel