maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23C39-HE3-18
Référence fabricant | AZ23C39-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23C39-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C39-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 29V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C39-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23C39-HE3-18-FT |
AZ23B8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
EP4CE55U19I7N
Intel
5SGSMD5K2F40I3LN
Intel
5SGXMA4H1F35C1N
Intel
XC5VSX95T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2LG
Intel