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Référence fabricant | AZ23C12-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23C12-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C12-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 9V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C12-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23C12-HE3-18-FT |
AZ23B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG320C
Xilinx Inc.
APA750-BGG456I
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
EP20K400FI672-2V
Intel
5SGXMA5N3F45I3N
Intel
XC7V585T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
AGL060V5-CS121I
Microsemi Corporation
EPF10K20RC208-3N
Intel