maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B3V6-HE3-18
Référence fabricant | AZ23B3V6-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B3V6-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B3V6-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B3V6-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B3V6-HE3-18-FT |
AZ23B12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XCV150-4FG456C
Xilinx Inc.
5SGXEA4H2F35I3LN
Intel
XC5VLX110T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34E1SG
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EPF10K30RI240-4N
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EP4SGX180HF35I3N
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