maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23C12-E3-18
Référence fabricant | AZ23C12-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23C12-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AZ23C12-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 9V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C12-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23C12-E3-18-FT |
AZ23B3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1000-5FGG456C
Xilinx Inc.
XC6VCX75T-1FFG484C
Xilinx Inc.
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEA7K2F40I3L
Intel
10AX048K4F35I3SG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX255T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152I
Xilinx Inc.
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
EP1S20F780I6N
Intel