maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23C10-G3-08
Référence fabricant | AZ23C10-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23C10-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AZ23C10-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C10-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23C10-G3-08-FT |
AZ23B39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2FBG484C
Xilinx Inc.
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U2F45E1SG
Intel
EP20K400CB652I8ES
Intel