maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B3V0-HE3-08
Référence fabricant | AZ23B3V0-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B3V0-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B3V0-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B3V0-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B3V0-HE3-08-FT |
AZ23B10-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B10-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B11-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6016TI144-2
Intel
LCMXO2-640ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQ240
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40I3L
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10AX090H2F34E2LG
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