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Infineon Technologies AUIRL7766M2TR

Name: AUIRL7766M2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRL7766M2TR
Price: 1.007752 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (498 reviews)

Numéro de pièce MFG: AUIRL7766M2TR

quantité disponible: 84740 Pièces

Prix de référence: USD 1.007752

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: AUIRL7766M2TR.pdf

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AUIRL7766M2TR Caractéristiques

Référence fabricant	AUIRL7766M2TR
Numéro de pièce future	FT-AUIRL7766M2TR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
AUIRL7766M2TR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5305pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DIRECTFET™ M4
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric M4
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRL7766M2TR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	AUIRL7766M2TR-FT

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