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Microsemi Corporation APT1001R1BN

Name: APT1001R1BN
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT1001R1BN
Availability: InStock
Rating: 4.5 (172 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT1001R1BN

quantité disponible: 54520 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS IV® MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT1001R1BN.pdf

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APT1001R1BN Caractéristiques

Référence fabricant	APT1001R1BN
Numéro de pièce future	FT-APT1001R1BN
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS IV®
APT1001R1BN Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	310W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247AD
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT1001R1BN Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT1001R1BN-FT

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