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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6370_001

Numéro de pièce MFG
AON6370_001
quantité disponible
88650 Pièces
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fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
aMOS™ MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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AON6370_001 Caractéristiques

Référence fabricant AON6370_001
Numéro de pièce future FT-AON6370_001
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries aMOS™
AON6370_001 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 6.2W (Ta), 26W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6)
Paquet / caisse 8-VDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AON6370_001 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AON6370_001-FT

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