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Référence fabricant | AS4PJ-M3/87A |
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Numéro de pièce future | FT-AS4PJ-M3/87A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP® |
AS4PJ-M3/87A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.4A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 962mV @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4PJ-M3/87A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4PJ-M3/87A-FT |
S4PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
V15P45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PL60-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V25PL60-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PM10SHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
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APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
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5SGXEA9K2H40C2LN
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5SGXEA7K2F35I2LN
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Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
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EP1S60F1020C6N
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