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Référence fabricant | AS4C64M16D2A-25BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C64M16D2A-25BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C64M16D2A-25BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 84-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 84-FBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D2A-25BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C64M16D2A-25BIN-FT |
AS4C512M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel