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Référence fabricant | AS4C16M16SA-6BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C16M16SA-6BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C16M16SA-6BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16SA-6BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C16M16SA-6BIN-FT |
AS7C38096A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BIN
Alliance Memory, Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel