maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS7C38096B-10BINTR
Référence fabricant | AS7C38096B-10BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS7C38096B-10BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS7C38096B-10BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C38096B-10BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS7C38096B-10BINTR-FT |
AT25HP256W-10SI
Microchip Technology
AT25HP256W-10SI-1.8
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AT25HP256W-10SI-2.7
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AT26DF081A-MU
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AT26DF161-SU
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AT26DF161A-SU
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AT26DF321-SU
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AT45D011-SC
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AT45D011-SI
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A40MX02-VQ80M
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LCMXO3L-4300C-6BG400I
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XC7VX690T-2FFG1761C
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XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
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5SGXMA3H2F35C2N
Intel