maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C32M16MSA-6BIN
Référence fabricant | AS4C32M16MSA-6BIN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AS4C32M16MSA-6BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C32M16MSA-6BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 5.5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-FBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MSA-6BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C32M16MSA-6BIN-FT |
AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel