maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS7C34098B-10BINTR
Référence fabricant | AS7C34098B-10BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS7C34098B-10BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS7C34098B-10BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C34098B-10BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS7C34098B-10BINTR-FT |
AS4C2M32D1-5TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32D1-5TIN
Alliance Memory, Inc.
MT41J128M8JP-107:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E IT:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E:G
Micron Technology Inc.