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Référence fabricant | AS4C256M8D3LB-12BCNTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C256M8D3LB-12BCNTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C256M8D3LB-12BCNTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (8x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D3LB-12BCNTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C256M8D3LB-12BCNTR-FT |
AS6C1616-55TINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel