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Référence fabricant | AS4C16M32MS-6BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C16M32MS-6BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C16M32MS-6BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
Taille mémoire | 512Mb (16M x 32) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-FBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MS-6BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C16M32MS-6BIN-FT |
AS4C512M8D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BIN
Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
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XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel