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Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MS-6BIN
- Numéro de pièce MFG
- AS4C16M32MS-6BIN
- quantité disponible
- 92040 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Alliance Memory, Inc.
- Brève description
- - IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Mémoire
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- AS4C16M32MS-6BIN.pdf
AS4C16M32MS-6BIN Caractéristiques
| Référence fabricant | AS4C16M32MS-6BIN |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-AS4C16M32MS-6BIN |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| AS4C16M32MS-6BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
| Taille mémoire | 512Mb (16M x 32) |
| Fréquence d'horloge | 166MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 5.4ns |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 90-VFBGA |
| Package d'appareils du fournisseur | 90-FBGA (8x13) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AS4C16M32MS-6BIN Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | AS4C16M32MS-6BIN-FT |
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