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Référence fabricant | AS4C16M16SA-6BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C16M16SA-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C16M16SA-6BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16SA-6BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C16M16SA-6BINTR-FT |
AS6C1608-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-70BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216-55BIN
Alliance Memory, Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
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Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
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EP20K400EBC652-2X
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