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Référence fabricant | AS6C3216-55BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS6C3216-55BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS6C3216-55BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 32Mb (2M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C3216-55BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS6C3216-55BIN-FT |
AT45DB011B-SU
Microchip Technology
AT45DB021B-SC
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AT45DB021B-SI
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AT45DB021D-SH-B
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AT45DB041B-SC
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AT45DB041B-SC-2.5
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AT45DB041B-SI
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AT45DB041B-SI-2.5
Microchip Technology
XC3S50A-4VQ100C
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XC6SLX150T-2FG484I
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M1A3P600-1FGG484
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A3P125-2PQ208I
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5AGZME5K3F40I4N
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10CX150YF672E5G
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AX500-FGG676M
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A3P1000-FGG144I
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A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation