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Référence fabricant | AS4C128M8D3LA-12BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C128M8D3LA-12BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C128M8D3LA-12BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (8x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3LA-12BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C128M8D3LA-12BIN-FT |
AS4C1M16S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS1C4M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C8M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-45BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-45BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel