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Référence fabricant | AS1C4M16PL-70BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS1C4M16PL-70BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
AS1C4M16PL-70BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 49-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 49-FBGA (4x4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C4M16PL-70BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS1C4M16PL-70BIN-FT |
PZ28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
AS4C2M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel