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Référence fabricant | AQ12EM430KAJME |
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Numéro de pièce future | FT-AQ12EM430KAJME |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AQ |
AQ12EM430KAJME Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 43pF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 150V |
Coéfficent de température | M |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0505 (1313 Metric) |
Taille / Dimension | 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.057" (1.45mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AQ12EM430KAJME Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AQ12EM430KAJME-FT |
AQ12EM2R2BAJBE
AVX Corporation
AQ12EM2R2BAJME\250V
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AQ12EM2R2CAJME\500
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AQ12EM2R2CAJWE
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A1425A-PQ100I
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LFE2-12SE-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I3LN
Intel
EP3SE260F1152C3N
Intel
XC5VFX130T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C4N
Intel
EP1S30F780I6N
Intel