maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / APTMC120TAM12CTPAG
Référence fabricant | APTMC120TAM12CTPAG |
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Numéro de pièce future | FT-APTMC120TAM12CTPAG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTMC120TAM12CTPAG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caractéristique FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 220A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 150A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 30mA (Typ) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 483nC @ 20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 1000V |
Puissance - Max | 925W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP6 |
Package d'appareils du fournisseur | SP6-P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTMC120TAM12CTPAG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTMC120TAM12CTPAG-FT |
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