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Référence fabricant | APTM50DSK10T3G |
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Numéro de pièce future | FT-APTM50DSK10T3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTM50DSK10T3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4367pF @ 25V |
Puissance - Max | 312W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP3 |
Package d'appareils du fournisseur | SP3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM50DSK10T3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTM50DSK10T3G-FT |
AO4801HL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO5600EL
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AO5804EL
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AO6601L
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AO6602_DELTA
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AO6800L
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AO7600_001
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AO8801
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AO8801L
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AOC2802_001
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LCMXO2-640HC-4TG100I
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AGLN030V2-ZUCG81I
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
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5SGXMA5N3F40C2N
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LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
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EP20K200EQC208-2
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